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为了观察烧结成品晶粒生长情况，气孔率，致密性等，分析元素的掺杂等对成品性能的影响，对制得的ZnO陶瓷成品断口进行观测。样品1与样品2相比较小且大小不等、杂乱无章，即存在8um左右的大晶粒也存在很多1um以下的小晶粒，其中以小尺寸晶粒居多；(2)晶粒形貌呈现多样性生长趋势。(3)ZnO主晶相之间存在较多存在孔洞、缝隙。由2中可以看出：(1)ZnO平均晶粒尺寸为10

～15um，且小尺寸晶粒数量大量减少，尺寸生长比较均匀；(2)晶粒形貌大多呈现正多边形或圆形生长趋势、晶粒生长堆积紧密；总之，掺杂TiO2的样品与未掺杂TiO2的样品相比从显微结构上看晶粒形貌规整，结构均匀、致密，晶粒较大。样品3.ZnO主晶相之问存在较多存在孔洞、缝隙；图晶界出现了大量液相熔融，且晶界较宽，而且晶粒边缘有尖晶石相存在使晶粒长大受限；相比较样品2.晶粒尺寸又变的不均匀，出现极大和极小颗粒。总之，随着TiO2的加入ZnO压敏陶瓷的平均晶粒尺寸增大，但加入量过多时，ZnO压敏陶瓷的电性能开始恶化。TiO2的掺杂会使氧化锌压敏陶瓷的平均晶粒明显增大，但掺杂量过多时会产生大量Zn2Ti04尖晶石相阻碍晶粒进一步长大。

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残压比KR  

通过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则是残压与标称电压之比。

残压比KR的定义公式为：

KR =UR/UN

残压比可以比较直观地反应出压敏电阻限制过电压的能力，在压敏材料的研究工作中已得到广泛的应用，在防雷压敏电阻、避雷器阀片和高能型压敏电阻阀片中以成为标准电性能参数。

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